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水热法制备Ni(OH)2纳米片阵列薄膜的方法
  • 专利号:
    201310040765.3
  • 专利类型:
    发明专利
  • 申请日:
    2013-02-02
  • 所属行业:
    化学冶金 - 化学
  • 授权日:
    2016-06-15
  • 法律状态:
    下证
价格:
面议
交易方式:
转让
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  • 专利详情

    本发明提供一种水热法制备Ni(OH)2纳米片阵列薄膜的方法,其步骤是:(1)将表面干净的衬底置于浓硫酸与双氧水的混合液中,煮沸至无气泡产生;(2)将上述衬底置于纯油酸中,在70℃的水浴锅内2~4h后取出,去除多余油酸,然后再置于高锰酸钾溶液中浸泡4~8h,完成衬底的羧基化;(3)将氨水滴加到醋酸镍乙醇溶液中至混合溶液pH值为8~9,搅拌制成Ni(OH)2溶胶;(4)将羧基化后的衬底在Ni(OH)2溶胶中浸渍提拉2~3次,在衬底上预置Ni(OH)2晶种;(5)将镍盐溶液和六次甲基四胺溶液按等摩尔比均匀混合制成Ni(OH)2生长液,然后倒入水热反应釜中,同时将预置有Ni(OH)2晶种的衬底放入生长液中,在70~80℃保温2~4h后,再升温至160~180℃保温为6~10h,自然冷却后取出衬底洗涤干燥,即可获得Ni(OH)2纳米片阵列薄膜。

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