本发明公开了一种应用于碳化硅热解制备石墨烯的衬底可控台阶形貌预处理方法，包括如下步骤:(1)将碳化硅衬底置于化学气相沉积CVD设备内的基座上;(2)设置反应室压力、氢气流量，氢气气氛下升温至开始刻蚀温度;(3)保持压力和H 2 流量不变，继续升温至最终刻蚀温度的同时通入小流量碳源辅助刻蚀;(4)升温至最终刻蚀温度后，保持压力、温度和H 2 流量不变，线性缓变的方式缓慢提高碳源流量辅助刻蚀;(5)关闭碳源通入反应室阀门，纯H 2 刻蚀;(6)向反应室通入硅烷辅助H 2 刻蚀;(7)氢气气氛下降温至室温，取出完成预处理的碳化硅衬底。优点:扩大纯氢气刻蚀的可控工艺窗口，同时解决纯氢气刻蚀导致的衬底表面台阶难以控制的问题。既有效去除衬底表面的亚损伤层，又可在碳化硅衬底表面形成可控平直、无缺陷台阶，其上解离速度一致，台面上碳原子的供给速度一样，可以使得生长的石墨烯更加均匀。具有较高的推广价值。

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