本发明公开了一种利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法，涉及半导体晶体的合成方法，步骤A、通过承载气体进气管向炉体内通入惰性保护气体；步骤B、对炉体内的坩埚进行加热使坩埚内预合成的原料熔化；步骤C、通过承载气体进气管向炉体内通入加热后的惰性保护气体；步骤D、将装载有红磷的磷源炉向下移动直至磷源炉上的注入管没入熔体中；步骤E、磷源炉对红磷进行加热并产生磷气体，磷气体与惰性保护气体混合后通过注入管注入到熔体中，磷气体与熔体反应生成磷化物；步骤F、合成完毕后关闭各装置。本发明通过在合成过程中，通过承载气体进气管通入惰性保护气体使得磷气体平稳的注入熔体，防止挥发元素气体被完全吸收后熔体倒吸入磷源炉。

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