本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法，本发明通过在原料中降低电活性杂质的同时引入原子尺寸较大的IVA族元素，晶体生长过程中采用掺杂SiC原料长晶，将适量的IV族元素引入SiC晶体中，从而提高晶体中本征点缺陷的浓度，实现对浅能级杂质的充分补偿，实现SiC晶体的半绝缘特性。使用本发明生长高纯半绝缘SiC晶体无需通过快速降温实现，从而减小了晶体应力，提高了晶体质量；此外，通过控制掺杂浓度可以很好的控制引入到晶体中的本征点缺陷浓度，从而实现了对晶体电阻率的调控。

   （1）提交订单：需求方选定所需专利，在线提交订单或直接与客服联系

    （2）签订协议：需求方与IP成金网签订专利权转让协议或专利许可协议

    （3）预付款项：需求方按约定向IP成金网支付预付款项，同时IP成金网向专利持有方支付预付款项

    （4）变更手续：专利持有方收到预付款项后，向IP成金网交付专利转让或许可所需全部资料；IP成金网向国家知识产权局提交变更或备案材料，完成变更或备案手续，国家知识产权局1个月左右下发变更的《手续合格通知书》或《专利实施许可合同备案证明》

    （5）结算尾款：确认转让或许可成功后需求方向IP成金网支付合同约定剩余款项

    （6）交付证书：专利权转让需交付证书，IP成金网向专利持有方支付剩余款项，并向需求方交付《专利证书》、《专利转让手续合格通知书》原件，至此专利转让合同完成

（1）汇款支付

会员可通过银行汇款转账的方式，向IP成金网的指定账户进行支付。

（2）现金支付

会员可到山东省青岛市市北区郑州路43号橡胶谷A栋134室青岛橡胶谷知识产权有限公司，进行现金支付。