本发明公开了一种直接合成大颗粒碳化硅粉的方法，步骤是：1、将高纯石墨和高纯硅粉按质量比称量，均匀混合后装入石墨坩埚中；2、将装有高纯石墨和高纯硅粉的石墨坩埚盖上石墨结晶板后放入感应炉中抽真空；3、迅速升温，充入气体并保温；4、将温度迅速升至1800‑2300℃，压力为10‑50mbar，升温速率为10‑30℃/min，保温2‑10小时；5、取出石墨结晶板并粉碎，即得到石墨结晶板孔洞中的大颗粒碳化硅粉；石墨结晶板厚度为10‑30mm，石墨结晶板上均匀打有直径为5‑20mm的孔。采用本方法直接合成大颗粒碳化硅粉，从而满足了生长高质量碳化硅单晶的需要。

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