本发明提供了一种碳量子点荧光材料的制备方法。该方法利用等离子增强化学气相沉积技术，通过控制沉积参数，在玻璃基板上交替沉积氢化的碳化硅薄膜(SiC X :H)和氢化的氮化碳薄膜(CN X :H)，然后经过250‑350℃在真空炉中退火，嵌有碳量子点的荧光材料便制备完成。该种制备方法相比于涂覆或基体附着的制备方法不仅省去了高效荧光碳量子点的制备环节，而且荧光碳量子点和多层膜结构浑然一体，薄膜中的氢还可以有效的钝化薄膜中的缺陷，显著提高材料的荧光效率。经过此方法制备的碳量子点荧光材料具有荧光性能稳定，发光效率高，且制备方法简单、绿色环保，故可以很好的应用在各种半导体发光器件中。

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