本发明为一种全溶液制备掺硫硒化锑纳米棒薄膜的方法。该包括以下步骤：将锑粉、硒粉和硫粉的混合粉末溶于上步得到乙二硫醇和乙二胺的混合溶剂中，搅拌至溶解；将得到前驱体溶液旋涂到玻璃基底上，烘干后，重复旋涂‑烘干步骤，直至玻璃基板上的前驱体薄膜的厚度900nm～1100nm；将所得前驱体薄膜进行300℃～350℃退火10min～30min，最后得到掺硫硒化锑纳米棒薄膜。本发明制备工艺简单，成本低，操作方便；得到致密、均匀、无杂质的Sb 2 (Se 1‑x S x ) 3 纳米棒薄膜。

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