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一种高金属含量的纳米碳化硅材料的制备方法与应用
  • 专利号:
    201710664990.2
  • 专利类型:
    发明专利
  • 申请日:
    2017-08-07
  • 所属行业:
    化学冶金 - 化学
  • 授权日:
    2020-01-03
  • 法律状态:
    下证
价格:
面议
交易方式:
转让
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  • 专利详情

    本发明提供一种高金属含量的纳米碳化硅材料的制备方法,以及使用该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极、全碳化硅锂二次电池。该制备方法所用原料包括非晶碳化硅粉、聚硅氧烷、锂化聚乙炔和混合粉末,所述混合粉末由锂稀土合金粉末、硅粉末和石墨烯粉末混合而成,所述锂稀土合金粉末包括金属锂粉、金属钕粉和金属镧粉,并同时采用介质阻挡放电等离子体工艺和高能超快激光技术,所得到的米碳化硅材料中金属含量高;由该高金属含量的纳米碳化硅材料制备的电极组装而成的全碳化硅锂二次电池的寿命长、容量高、循环性能好,电池的首次库伦效率达到99.98%,放电平台为3.0~2.0V,比容量达到2400mAh/g,放电能量密度达到1700~2200Wh/kg,功率密度达到1400~2600W/kg,循环周期达到20000次以上。

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