本发明公开了一种金属原子掺杂的大面积规则外延石墨烯的制备方法，应用于微电子技术领域。将金属原子引入到SiC的高温裂解过程中，并辅以Ar气氛的保护，不仅可以制备得到大面积规则的外延石墨烯，还可引导外来金属原子直接参与石墨烯片层的生长过程，促使金属原子与C原子之间原子插层或杂化而实现金属原子的掺杂，避免了离子注入对石墨烯整体结构的破坏作用。金属原子束流的预处理是实现掺杂的重要前提，Ar气氛环境抑制了表面孔洞的生成，保证了外延石墨烯样品规则均匀的表面形貌。该发明技术思路简单，可操作性强，是一种稳定有效的金属原子掺杂方法，可为外延石墨烯的优化制备及性能改性提供重要的指导与借鉴。

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