一种MIL‑101(Cr)负载CdS制氢光催化剂的制备方法，它涉及一种制氢催化剂的制备方法。本发明的目的是要解决现有CdS半导体光催化剂易发生光腐蚀问题，导致其光生电子和空穴复合几率大，太阳光利用率低，从而光催化制氢速率低。方法：一、制备MIL‑101(Cr)负载CdS制氢光催化剂粗品；二、将MIL‑101(Cr)负载CdS制氢光催化剂粗品加入到反应釜中，经水热反应得到MIL‑101(Cr)负载CdS制氢光催化剂。本发明制备的MIL‑101(Cr)负载CdS制氢光催化剂在300W氙灯照射下分解H 2 O产氢速率可达到510.5μmol·h ‑1 ·g ‑1 ~586.1μmol·h ‑1 ·g ‑1 。本发明可以获得一种MIL‑101(Cr)负载CdS制氢光催化剂的制备方法。

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