本发明公开了一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品，其中方法包括，以三嵌段共聚物P123为模板剂，正硅酸乙酯为硅源，糠醇为碳源制备出C/SiO 2 前驱体；在惰性气体下，将C/SiO 2 前驱体经镁热还原和洗涤干燥，得到碳化硅材料，晶型为3C‑SiC。我方发明提供的低温合成高比表面介孔碳化硅的方法很大程度上降低了制备温度，反应温度可降为700℃以下,能耗明显降低；前驱体制备时间很短，只需4天左右；本技术中前驱体材料选取了互为支撑、交互生长的C/SiO 2 作为前驱体，由此带来的优势主要体现在反应过程中骨架结构得到最大程度的保留，所制备材料比表面积较大，可达600～800m 2 /g；碳化硅介孔材料颗粒大小和颗粒分布均匀,尺寸在10～20nm。

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