本发明公开了一种暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带的制备方法，制备过程如下：(1)将无机镉盐，去离子水，二亚乙基三胺和硫粉混均，在搅拌下进行溶剂热反应；得溶剂热产物；(2)将溶剂热产物分散于去离子水中，超声剥离，制得暴露(001)晶面的超薄CdS纳米带。本发明具有如下技术效果：1.制备出CdS纳米带主要暴露(001)高能晶面，具有电子定向传输且传输速率快、特殊的光学性能等特点；2.CdS纳米带厚度很薄，可增大了比表面积，大大缩短了光生电荷传输到催化剂表面的迁移距离，有效抑制了光生电子和空穴对发生体相复合几率；3.在波长大于420nm可见光辐照下，并不负载任何助催化剂的情况下，CdS纳米带的产氢效率高达59.7mmol/h/g催化剂，并且光照50h，催化活性无明显降低；4.本发明具有操作简单、反应温度低、重复性好等优点。

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