本发明涉到Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ 2 族金属硫化物，特指一种以醋酸铜，醋酸锌，硝酸铟，L‑半胱氨酸，硫代乙酰胺，钼酸钠为原料制备钼氧根修饰的CuInZnS量子点光催化剂的方法。本发明涉及钼氧根修饰Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ 2 族四元CuInZnS纳米晶，CuInZnS纳米晶是直接窄带隙，可见光响应的四元半导体，带隙连续可调，量子点材料拥有较大的比表面积，提供了较多的活性位点，自身量子化优势使半导体获得较大的电荷迁移速率，有利于提高增强光催化性能；钼酸根通过和纳米晶表面硫空位的静电结合，修饰于CuInZnS纳米晶上，大大提升纳米晶对光的吸收，优化产氢活性。

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