一种利用电子束熔炼炉提纯多晶硅的方法，包括如下步骤：每个熔炼坩埚中每次加入单位量的硅料，控制电子束枪按照第一预定功率对单位量的硅料熔炼第一预定时间段，重复上述步骤，直至加入熔炼坩埚中的硅料的量与预定量相对应后，再熔炼第二预定时间段后，两个熔炼坩埚将熔融的原料先后交替流入水冷铜坩埚，利用水冷铜坩埚上方的电子束枪以面积变化的面扫描方式对流入的原料进行扫描，保证水冷铜坩埚内有熔池，来使杂质不断的向熔池内汇集、挥发；在水冷铜坩埚内的原料流满后，控制水冷铜坩埚上方的电子束枪以面积不变的面扫描方式且功率逐渐缩小，来降低功率及将硅锭中的杂质集中至硅锭顶部中心；冷却后出锭并锯切杂质富集区以获得多晶硅。

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