本发明涉及一种用于爆炸品荧光检测材料制备方法，尤其涉及一种多孔硅材料的水热制备方法，多孔硅材料的水热制备方法包括以下步骤：单晶硅片经过清洗后固定于水热反应釜的内衬中，在内衬中注入腐蚀溶液，腐蚀溶液为质量分数30％‑50％的HF溶液和浓度0.3‑1mol/L的硝酸锌溶液，HF溶液和硝酸锌溶液的体积比为2.5:1‑6:1；将内衬放于水热反应釜外壳内，将水热反应釜置于烘箱中进行加热反应，待反应结束冷却至室温后，取出单晶硅片冲洗干净，经双氧水浸泡后取出烘干；本发明由于采用了以上技术方案，制备的多孔硅材料具有高孔隙率、发光强度高、表面孔径均一等优点；以本发明技术方案制备的多孔硅为基底的气体荧光传感器具有荧光强度高，成膜均一，比较面积高、吸附性好等优点。

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