本发明提供了一种基于绝缘基底的石墨烯制备方法。首先将氧化石墨烯水溶液悬涂到亲水化处理后的绝缘基底上，然后将两片石英片沿着绝缘基底边缘平行放置，中间空隙作为石墨烯生长区域，再将铜箔盖在石英片上方后一并放入到管式炉中。通入高纯氩气、氢气和甲烷，利用氧化石墨烯、铜箔和甲烷分别作为石墨烯生长的种子、催化剂和碳源，在绝缘基底上以氧化石墨烯为中心直接生长出石墨烯。本发明省去化学气相沉积法中聚合物悬涂、金属催化剂刻蚀和聚合物溶解等步骤，简化工艺，减少缺陷产生。同时该方法通过压力及气体流量的调节，可以在绝缘基底上可控生长出不同尺寸和不同形貌的石墨烯，满足不同领域的需求。

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