本发明公开了一种常压可控制备大面积p型层状GaTe纳米片自组装纳米花的方法，其工艺步骤如下：a)在蓝宝石衬底上制备一层形状为纳米花的ZnO薄膜，作为GaTe生长过程中的种子层；b)将准备好的前驱体样品放入管式炉中，在常压、高纯氩气的环境中生长GaTe；c)使用扫描隧道显微镜、拉曼、光致发光、原子力显微镜、透射电镜等表征手段测试所合成材料。所述GaTe镓的形貌由ZnO的形貌和生长条件如时间长短、氩气流量、温度等控制，而ZnO纳米花的制备通过调节气流量和温度等条件来控制。本发明高效而且合成可控，制备得到的GaTe/ZnO纳米花异质结结构有明显的pn结整流效应，可用于光电催化产氢等应用，此外对于GaTe这种新型二维材料的生长也提供了借鉴之用。

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