本发明涉及一种p‑型Cu 4 Ga 6 Te 11 基中温热电半导体，该中温热电半导体是在Cu 4 Ga 6 Te 11 合金中采用摩尔分数为0.024的Sb等摩尔替换Cu元素，构成四元热电半导体，化学式为Cu 3.5 Ga 6 Sb 0.5 Te 11 ；其合成工艺为：根据化学式称量相应量的Cu、Ga、Sb、Te四种元素，在1050～1150℃下真空熔炼120小时。熔炼结束后在液氮中急冷，然后取出铸锭粉碎球磨，球磨后的粉末在经放电等离子火花烧结成形，烧结时间10分钟，烧结温度为550～650℃，烧结压力为55～65MPa。烧结后在390℃的真空管中退火65～75小时，制备得到Cu 3.5 Ga 6 Sb 0.5 Te 11 热电半导体。其具有无污染，无噪音，应用于中温发电元器件制作，运行可靠，寿命长，制备工艺简单等优点。

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