本发明属于石墨烯制备领域，具体地，涉及一种在PECVD中实现纵向及横向石墨烯可控制备的方法。本发明包括以下步骤：1)依次用乙醇、丙酮、异丙醇对玻璃基底进行清洗；然后用氩气吹干玻璃基底；2)将被法拉第笼包裹的玻璃基底置于PECVD腔内，将基底加热到540～580℃；3)加入氩气、甲烷与氢气，产生等离子体，生长60～120分钟；4)关闭等离子体发生源，在氩气氛围下自然降温至50℃以下，开腔得到的石墨烯玻璃样品。本发明在PECVD中通过法拉第笼效应在透明、绝缘基底上低温制备的二维横向石墨烯技术可以实现比同等基底、同等温度下，没有法拉第笼作用下得到的纵向石墨烯纳米墙更优的导电性、更高的透光率以及更好的均匀性。

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