本发明涉及一种用庚嗪环饱和溶液制备石墨相氮化碳复合纳米薄膜的方法，利用庚嗪环饱和溶液将g‑C 3 N 4 加载到TiO 2 纳米棒/纳米管上，制备一维g‑C 3 N 4 /TiO 2 纳米阵列，可直接将g‑C 3 N 4 加载到纳米棒/纳米管上，得到一维g‑C 3 N 4 纳米复合阵列，其光催化效率高；由于庚嗪环溶液液体，可以很均匀地吸附在光电纳米薄膜材料上，一维g‑C 3 N 4 纳米复合阵列也是均匀的，加载均匀性好，因此这种方法适合大块样品的制备；用廉价原料三聚氰胺生成的庚嗪环溶解于水中，再吸附于光电材料纳米棒上，原料几乎没有浪费，原料利用率高，适合大规模生产。

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