本发明涉及一种相移电控制DFB半导体激光器装置，由两个侧边区和位于两个侧边区之间的一个相移区组成，沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅，两个侧边区的电极用导线连接在一起，且两个侧边区的电极与一个相移区的电极相隔离。通过改变侧边区、相移区注入电流以控制引入相移大小，来精细调节激光器的激射波长。在激光器工作电流保持不变的条件下，改变侧边区、相移区注入电流的比例就能改变引入相移的大小。在引入相移大小合适的情况下，既保证了激光器单模激射的实现，也使得结构相似的DFB激光器有相近的域值和激射特性。给激光器阵列产生激光的调制、耦合和传输带来了很大的方便，在光子集成发射芯片模块的研制中有很大的优越性。

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