本发明公开了一种连接Si3N4陶瓷的中间层组件及方法，属于陶瓷焊接材料领域。本发明的一种连接Si3N4陶瓷的中间层组件，包括铜基非晶钎料箔和中间层，铜基非晶钎料箔的组分及含量（按质量百分比）为：Ti为20%-25%，Zr为14%-16%，Hf为12%-14%，Ta为5%-6%，Mo为1.5%-1.8%，Nb为0.6%-0.8%，V为0.2%-0.4%，其余为Cu；按照铜基非晶钎料箔/中间层/铜基非晶钎料箔的顺序紧贴装配；中间层为Ta箔或Nb箔。本发明通过调整铜基非晶钎料箔的组成成分、增加Ta箔或Nb箔中间层，在很大程度上减少了接头区域残余应力的产生，进而大幅度地提高了接头的力学性能。

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